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    电子封装及热沉材料

    Electronic Packaging Materials & Heat Sinks

    材料介绍

    电子封装是将一个具有一定功能的集成电路芯片(包括半导体集成电路芯片、薄膜集成电路基片、混合集成电路芯片)放置在一个与之相适应的外壳容器中,为芯片提供一个稳定可靠的工作环境,保护芯片不受或少受外部环境影响,使集成电路具有稳定正常的功能。同时封装也是芯片输出、输入端向外过渡的连接手段,与芯片共同形成一个完整的整体。电子封装材料要求具有一定的机械强度、良好的电气性能、散热性能和化学稳定性,并根据集成电路类别和使用场所的不同,选用不同的封装结构和材料。



    在功率电子器件和电路中散热是一个不可避免的副产品。热沉材料有助于消散芯片热量,将其传输到周围的空气中。

    钼铜、钨铜、CMC和CMCC材料结合了钼、钨的低热膨胀率和铜的高热导率,可有效释放电子器件的热量,有助于冷却 IGBT 模块、RF功率放大器、LED 芯片等各种产品,可用于大规模集成电路和大功率微波器件中作为绝缘金属基片、热控板和散热元件(热沉材料)和引线框架。

    功率半导体封装管壳

    功率半导体封装管壳


    IGBT模块

    IGBT模块


    产品规格

    我们可以提供如下产品用于功率电子器件和电路中:

    热沉材料
    - 钨铜合金
    - 钼铜合金
    - CMC,CMCC
    - 钼元

    电子封装材料
    - AlSiC
    - AlSi

    钨铜合金

    产品优势:产品孔隙率极低,BET法测定的比表面为国内同行的一半(选用5*5*52mm样品100只比较)。产品具有良好的气密性,氦质谱仪检漏测验<5*10-9Pa?m3/S可完全通过。 不添加任何活化烧结元素如铁、镍、钴、锰。具有良好的热导性能及热膨胀匹配性能。优异的加工精度、表面光洁度和平整度。可提供电镀表面。

    产品规格:钨铜裸片及表面镀镍、镀金。



    钼铜合金

    产品优势:钼铜合金相比较于钨铜合金,其密度较低。产品孔隙率极低,BET法测定的比表面为国内同行的一半(选用5*5*52mm样品100只比较)。产品具有良好的气密性,氦质谱仪检漏测验<5*10-9Pa?m3/S可完全通过。具有高热导率和较低的热膨胀系数,优异的加工精度、表面光洁度和平整度。可提供电镀表面。

    产品规格:钼铜裸片及表面镀镍、镀金。




    铜-钼铜-铜、铜-钼-铜

    产品优势:CMCC(铜-钼铜-铜)和CMC(铜-钼-铜)是一种三层结构材料,芯材为钼铜或钼,双面覆以铜。其以较低的热膨胀系数和远优于WCu和MoCu的热导率为高功率电子元器件提供更优替换方案,有助于冷却 IGBT 模块等各种大功率元器件。

    产品规格:我们可以为客户提供各种厚度和不同层数结构的层片结构材料,以满足客户的各种使用要求。

    典型热沉材料性能表

    原料(名称)

    成分[wt%]

    密度[g/cm3]

    热膨胀系数[10-6/K]

    热导率[W/(m·K)]

    CMCC141

    Cu/MoCu30/Cu
    1:4:1

    9.5±0.2

    7.3/10.0/8.5

    220

    CMCC232

    Cu/MoCu30/Cu
    2:3:2

    9.3±0.2

    7.5/11.0/9.0

    255

    CMCC111

    Cu/MoCu30/Cu
    1:1:1

    9.2±0.2

    9.5

    260

    CMCC212

    Cu/MoCu30/Cu
    2:1:2

    9.1±0.2

    11.5

    300

    CMC111

    Cu/Mo/Cu
    1:1:1

    9.3±0.2

    8.3
    6.4(20~800℃)

    305(平面)

    250(厚度)

    S-CMC51515

    Cu/Mo/Cu/Mo/Cu
    5:1:5:1:5

    9.2±0.2

    12.8
    6.1(20~800℃)

    350(平面)

    295(厚度)

    无氧铜 TU1

    Cu

    8.93

    17.7

    391




    钼原片

    产品优势:我司的钼原片具有优异的热导率和导电率,热膨胀系数与基板匹配性高,可以为客户提供裸片和镀层产品。产品广泛应用于电力半导体器件大功率晶闸管,快速晶闸管。


    产品规格:圆形钼原片:厚度: 0.05 ~ 7.0 mm;直径: 2.5 ~ 150.0 mm

    AlSiC

    产品优势:(AlSiC)铝碳化硅IGBT基板是高铁上必不可少的零件。铝碳化硅复合材料是将碳化硅陶瓷与金属铝复合而成的新材料,将陶瓷与金属的优秀品质齐集一身,热导率高、热膨胀系数低、比刚度好、质量轻,是理想的功率电子基板材料和衬底材料,与电子芯片焊接后可实现良好工作匹配。铝碳化硅基板封装的IGBT产品广泛应用于高铁驱动、地铁驱动、新能源汽车、风力发电、焊接机器人等行业。

    AlSi

    产品优势:主要用于电子封装,在微波功率器件,集成功率模块,T/R模块等电子功率器件中,利用硅铝合金作为电子封装材料的基座,外壳,盒体,盖板,匹配性好,可提供更好的散热,能极大的延长封装大功率模块的使用寿命,可靠性增加。该材料具有重量轻(密度2.4—2.7g/cm3),热导率高,热膨胀系数低,刚度高,易于机加工,表面镀覆性能以及焊接性能好,材料致密性好,耐高温,耐腐蚀等特点。

    公司优势

    - 公司通过ISO9001、14001和OHSAS18001体系认证,为您提供持续稳定合格的高品质产品。
    国内钨渗铜、钼渗铜材料的发明单位,60年代开始研制生产。
    发展了Mo-Cu和W-Cu材料体系多个牌号的配套材料。
    五十多年持续的配套生产,具有丰富的研发和生产经验,产品质量和技术保持领先水平。
    可以为您提供稳定可靠地全系列钨铜、钼铜产品。
    拥有齐全配套的检验设备,可及时为客户提供产品性能检测数据。


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